Βασικές Παράμετροι Υποστρωμάτων Καρβιδίου του Πυριτίου (SiC).

Παράμετροι πλέγματος:Η διασφάλιση ότι η σταθερά του πλέγματος του υποστρώματος ταιριάζει με εκείνη του επιταξιακού στρώματος που πρόκειται να αναπτυχθεί είναι ζωτικής σημασίας για την ελαχιστοποίηση των ελαττωμάτων και των τάσεων.

Ακολουθία στοίβαξης:Η μακροσκοπική δομή τουΟύτωαποτελείται από άτομα πυριτίου και άνθρακα σε αναλογία 1:1. Ωστόσο, διαφορετικές διατάξεις ατομικών στιβάδων έχουν ως αποτέλεσμα διάφορες κρυσταλλικές δομές. Επομένως,Ούτωπαρουσιάζει πολυάριθμους πολυτύπους, όπως π.χ3C-SiC, 4H-SiC και 6H-Ούτω, που αντιστοιχεί σε ακολουθίες στοίβαξης όπως ABC, ABCB, ABCACB, αντίστοιχα.

Σκληρότητα Mohs:Ο προσδιορισμός της σκληρότητας του υποστρώματος είναι απαραίτητος καθώς επηρεάζει την ευκολία επεξεργασίας και την αντοχή στη φθορά.

Πυκνότητα:Η πυκνότητα επηρεάζει τη μηχανική αντοχή και τις θερμικές ιδιότητες τουυπόστρωμα.

Συντελεστής θερμικής διαστολής:Αυτό αναφέρεται στον ρυθμό με τον οποίο τουπόστρωμαΤο μήκος ή ο όγκος του αυξάνεται σε σχέση με τις αρχικές του διαστάσεις όταν η θερμοκρασία αυξάνεται κατά ένα βαθμό Κελσίου. Η συμβατότητα των συντελεστών θερμικής διαστολής του υποστρώματος και της επιταξιακής στρώσης υπό διακυμάνσεις θερμοκρασίας επηρεάζει τη θερμική σταθερότητα της συσκευής.

Δείκτης διάθλασης:Για οπτικές εφαρμογές, ο δείκτης διάθλασης είναι μια κρίσιμη παράμετρος στο σχεδιασμό οπτοηλεκτρονικών συσκευών.

Διηλεκτρική σταθερά:Αυτό επηρεάζει τις χωρητικές ιδιότητες της συσκευής.

Θερμική αγωγιμότητα:Καθοριστικής σημασίας για εφαρμογές υψηλής ισχύος και υψηλής θερμοκρασίας, η θερμική αγωγιμότητα επηρεάζει την απόδοση ψύξης της συσκευής.

Διάκενο ζώνης:Το διάκενο ζώνης αντιπροσωπεύει τη διαφορά ενέργειας μεταξύ της κορυφής της ζώνης σθένους και του κάτω μέρους της ζώνης αγωγιμότητας σε υλικά ημιαγωγών. Αυτή η διαφορά ενέργειας καθορίζει εάν τα ηλεκτρόνια μπορούν να μεταβούν από τη ζώνη σθένους στη ζώνη αγωγιμότητας. Τα υλικά ευρείας ζώνης απαιτούν περισσότερη ενέργεια για να διεγείρουν τις μεταπτώσεις ηλεκτρονίων.

Ηλεκτρικό πεδίο διάσπασης:Αυτή είναι η μέγιστη τάση που μπορεί να αντέξει ένα υλικό ημιαγωγών.

Ταχύτητα μετατόπισης κορεσμού:Αυτό αναφέρεται στη μέγιστη μέση ταχύτητα που μπορούν να επιτύχουν οι φορείς φορτίου σε ένα υλικό ημιαγωγών όταν υποβάλλονται σε ηλεκτρικό πεδίο. Όταν η ένταση του ηλεκτρικού πεδίου αυξάνεται σε κάποιο βαθμό, η ταχύτητα του φορέα δεν αυξάνεται πλέον με περαιτέρω αυξήσεις στο πεδίο, φτάνοντας σε αυτό που είναι γνωστό ως ταχύτητα μετατόπισης κορεσμού.**

Το Semicorex προσφέρει εξαρτήματα υψηλής ποιότητας για υποστρώματα SiC. Εάν έχετε οποιεσδήποτε ερωτήσεις ή χρειάζεστε πρόσθετες λεπτομέρειες, μη διστάσετε να επικοινωνήσετε μαζί μας.