- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Νέα του κλάδου
Επίτευξη υψηλής ποιότητας κρυστάλλων SiC μέσω ελέγχου κλίσης θερμοκρασίας στην αρχική φάση ανάπτυξης
Το καρβίδιο του πυριτίου (SiC) είναι ένα υλικό ημιαγωγών ευρείας ζώνης που έχει συγκεντρώσει σημαντική προσοχή τα τελευταία χρόνια λόγω της εξαιρετικής του απόδοσης σε εφαρμογές υψηλής τάσης και υψηλής θερμοκρασίας. Αυτή η μελέτη διερευνά συστηματικά τα διάφορα χαρακτηριστικά των κρυστάλλων SiC που ......
Διαβάστε περισσότερα
Η Μελέτη για την Κατανομή της ηλεκτρικής αντίστασης σε κρυστάλλους n-τύπου 4H-SiC
Το 4H-SiC, ως υλικό ημιαγωγών τρίτης γενιάς, είναι γνωστό για το ευρύ διάκενο ζώνης, την υψηλή θερμική αγωγιμότητα και την εξαιρετική χημική και θερμική σταθερότητα, καθιστώντας το εξαιρετικά πολύτιμο σε εφαρμογές υψηλής ισχύος και υψηλής συχνότητας.
Διαβάστε περισσότερα
