Η σημασία των υλικών από πορώδη γραφίτη για την ανάπτυξη κρυστάλλων SiC

Το συστατικό του κλιβάνου ανάπτυξης κρυστάλλων SiC της Semicorex, τοπορώδες βαρέλι γραφίτη, θα αποφέρει τρία σημαντικά οφέλη και μπορεί να ενισχύσει αποτελεσματικά την ανταγωνιστικότητα της εγχώριαςΥποστρώματα SiC:

• Μειώστε το κόστος των συστατικών ανάπτυξης κρυστάλλων SiC.
• Αυξήστε το πάχος του κρυστάλλου SiC και μειώστε το συνολικό κόστος του υποστρώματος.
• Βελτιώστε την απόδοση των κρυστάλλων SiC και ενισχύστε την εταιρική ανταγωνιστικότητα.

Η προσθήκη πορωδών φύλλων γραφίτη σε κλιβάνους ανάπτυξης κρυστάλλων SiC είναι ένα από τα καυτά σημεία στη βιομηχανία. Έχει αποδειχθεί ότι με την εισαγωγή απορώδης γραφίτηςφύλλα πάνω από τη σκόνη πηγής SiC, επιτυγχάνεται καλή μεταφορά μάζας στην περιοχή των κρυστάλλων, η οποία μπορεί να βελτιώσει διάφορα τεχνικά προβλήματα που υπάρχουν στους παραδοσιακούς κλιβάνους ανάπτυξης κρυστάλλων.

(α) Παραδοσιακός κλίβανος ανάπτυξης κρυστάλλων, (β) Κλίβανος ανάπτυξης κρυστάλλων με φύλλο πορώδους γραφίτη

Πηγή: Πανεπιστήμιο Dongui, Νότια Κορέα

Πειράματα έδειξαν ότι όταν χρησιμοποιούνται παραδοσιακοί κλιβάνοι ανάπτυξης κρυστάλλων, τα υποστρώματα SiC έχουν συνήθως διάφοραπολύμορφα, όπως 6Η και 15R-SiC, ενώΥποστρώματα SiCπαρασκευάζονται με χρήση πορώδους γραφίτη με βάση τους κλιβάνους ανάπτυξης κρυστάλλων έχουν μόνο4H-SiC μονοκρύσταλλος. Επιπλέον, η πυκνότητα μικροσωληνίσκου (MPD) και η πυκνότητα χαρακτικής κοιλότητας (EPD) μειώνονται επίσης σημαντικά. Το MPD των δύο κλιβάνων ανάπτυξης κρυστάλλων είναι 6-7EA/cm2 και 1-2EA/cm2 αντίστοιχα, το οποίο μπορεί να είναιμειωθεί έως και 6 φορές.

Η Semicorex έχει επίσης ξεκινήσει μια νέα διαδικασία "εφάπαξ μεταφορά μάζας" που βασίζεται σεπορώδη φύλλα γραφίτη. Ο πορώδης γραφίτης έχει πολύ καλόικανότητα καθαρισμού. Η νέα διαδικασία χρησιμοποιεί ένα νέο θερμικό πεδίο για πρωτογενή μεταφορά μάζας, το οποίο κάνει την απόδοση μεταφοράς μάζας βελτιωμένη και βασικά σταθερή, μειώνοντας έτσι την επίδραση της ανακρυστάλλωσης (αποφυγή δευτερογενούς μεταφοράς μάζας), μειώνοντας αποτελεσματικά τον κίνδυνο μικροσωληνίσκων ή άλλων σχετικών κρυσταλλικών ελαττωμάτων. Επιπλέον, ο πορώδης γραφίτης είναι επίσης μία από τις βασικές τεχνολογίες για την επίλυση του προβλήματος της ανάπτυξης και του πάχους των κρυστάλλων SiC, επειδή μπορεί να εξισορροπήσει τα συστατικά της αέριας φάσης, να απομονώσει ίχνη ακαθαρσιών, να προσαρμόσει την τοπική θερμοκρασία και να μειώσει φυσικά σωματίδια όπως η περιτύλιξη άνθρακα. Με την προϋπόθεση ότι ο κρύσταλλος μπορεί να χρησιμοποιηθεί,το πάχος του κρυστάλλουμπορεί να μειωθεί. μπορεί να αυξηθεί σημαντικά.

Τεχνικά χαρακτηριστικά τουSemicorex πορώδης γραφίτης:

Το πορώδες μπορεί να φτάσει έως και 65%.

Οι πόροι είναι ομοιόμορφα κατανεμημένοι.

Υψηλή σταθερότητα παρτίδας.

Υψηλή αντοχή, μπορεί να φτάσει το εξαιρετικά λεπτό κυλινδρικό σχήμα ≤1mm.

Το Semicorex προσφέρει υψηλή ποιότηταπορώδης γραφίτηςεξαρτήματα. Εάν έχετε οποιεσδήποτε ερωτήσεις ή χρειάζεστε πρόσθετες λεπτομέρειες, μη διστάσετε να επικοινωνήσετε μαζί μας.

Τηλέφωνο επικοινωνίας +86-13567891907

Email: sales@semicorex.com