TAC επικαλυμμένο Crucible στην ανάπτυξη κρυστάλλων SIC

Τα τελευταία χρόνια,Επικαλυμμένο με TACΤα χωνευτήρια έχουν γίνει μια σημαντική τεχνική λύση ως δοχεία αντίδρασης στη διαδικασία ανάπτυξης των κρυστάλλων καρβιδίου πυριτίου (SIC). Τα υλικά TAC έχουν γίνει βασικά υλικά στον τομέα της ανάπτυξης κρυστάλλων καρβιδίου πυριτίου λόγω της εξαιρετικής αντοχής της χημικής διάβρωσης και της σταθερότητας υψηλής θερμοκρασίας. Σε σύγκριση με τα παραδοσιακά χωνευτήρια γραφίτη, τα επικαλυμμένα με TAC σταυροειδή παρέχουν ένα πιο σταθερό περιβάλλον ανάπτυξης, μειώνουν τις επιπτώσεις της διάβρωσης του γραφίτη, επεκτείνουν τη διάρκεια ζωής του χωνευτηρίου και αποφεύγουν αποτελεσματικά το φαινόμενο της περιτύλιξης του άνθρακα, μειώνοντας έτσι την πυκνότητα των μικροσωληνίσκων.

 Εικ. 1 ανάπτυξη κρυστάλλων SIC

Πλεονεκτήματα και πειραματική ανάλυση των επικαλυμμένων με TAC Crucibles

Σε αυτή τη μελέτη, συγκρίναμε την ανάπτυξη κρυστάλλων καρβιδίου πυριτίου χρησιμοποιώντας παραδοσιακά χωνευτήρια γραφίτη και γραφίτη που είναι επικαλυμμένα με TAC. Τα αποτελέσματα έδειξαν ότι τα επικαλυμμένα με TAC σταυρώματα βελτιώνουν σημαντικά την ποιότητα των κρυστάλλων.

Εικ.

Το σχήμα 2 απεικονίζει ότι οι κρυστάλλοι καρβιδίου πυριτίου που καλλιεργούνται σε παραδοσιακά χωνευτήρια γραφίτη εμφανίζουν μια κοίλη διεπαφή, ενώ εκείνοι που καλλιεργούνται σε TAC που έχουν επικαλυφθεί με TAC παρουσιάζουν μια κυρτή διεπαφή. Επιπλέον, όπως φαίνεται στο Σχήμα 3, το πολυκρυσταλλικό φαινόμενο άκρων προφέρεται σε κρυστάλλους που καλλιεργούνται χρησιμοποιώντας παραδοσιακά χωνευτήρια γραφίτη, ενώ η χρήση των επικαλυμμένων με TAC σταυρώσεων μετριάζει αποτελεσματικά αυτό το ζήτημα.

Η ανάλυση δείχνει ότι τοΕπίστρωση TACαυξάνει τη θερμοκρασία στην άκρη του χωνευτηρίου, μειώνοντας έτσι τον ρυθμό ανάπτυξης των κρυστάλλων στην περιοχή αυτή. Επιπλέον, η επικάλυψη TAC εμποδίζει την άμεση επαφή μεταξύ του πλευρικού τοιχώματος γραφίτη και του κρυστάλλου, ο οποίος βοηθά στην άμβλυνση των πυρήνων. Αυτοί οι παράγοντες μειώνουν συλλογικά την πιθανότητα της πολυκρυσταλλικότητας που εμφανίζεται στις άκρες του κρυστάλλου.

Εικ.3 Εικόνες OM των πλακιδίων σε διαφορετικά στάδια ανάπτυξης

Επιπλέον, οι κρυστάλλοι καρβιδίου πυριτίου καλλιεργούνταιΕπικαλυμμένο με TACΤα χωνευτήρια δεν παρουσίασαν σχεδόν καμία ενθυλάκωση άνθρακα, μια κοινή αιτία ελαττωμάτων μικροπίεσης. Ως αποτέλεσμα, αυτοί οι κρύσταλλοι καταδεικνύουν σημαντική μείωση της πυκνότητας του ελάττωμα του μικροεπικοινωνίας. Τα αποτελέσματα των δοκιμών διάβρωσης που παρουσιάζονται στο Σχήμα 4 επιβεβαιώνουν ότι οι κρύσταλλοι που αναπτύσσονται σε επικαλυμμένα με TAC σταυροί δεν έχουν σχεδόν ελαττώματα μικροπωλίας.

Εικ.

Βελτίωση της ποιότητας των κρυστάλλων και του ελέγχου ακαθαρσιών

Μέσω των δοκιμών GDMS και Hall of Crystals, η μελέτη διαπίστωσε ότι η περιεκτικότητα σε ΤΑ στον κρύσταλλο αυξήθηκε ελαφρώς όταν χρησιμοποιήθηκαν επικαλυμμένα με TAC, αλλά η επίστρωση TAC περιόρισε σημαντικά την είσοδο του ντόπινγκ αζώτου (Ν) στον κρύσταλλο. Συνοπτικά, τα Coated TAC Coast Crucibles μπορούν να καλλιεργούν κρυστάλλους καρβιδίου πυριτίου με υψηλότερη ποιότητα, ειδικά στη μείωση της πυκνότητας του ελαττώματος (ειδικά των μικροσωληνίσκων και της ενθυλάκωσης του άνθρακα) και στον έλεγχο της συγκέντρωσης του ντόπινγκ αζώτου.

Το Semicorex προσφέρει υψηλής ποιότηταςCrucible με επικαλυμμένη με TACγια την ανάπτυξη κρυστάλλων SIC. Εάν έχετε οποιεσδήποτε ερωτήσεις ή χρειάζεστε επιπλέον λεπτομέρειες, μην διστάσετε να έρθετε σε επαφή μαζί μας.

Επικοινωνήστε με το τηλέφωνο # +86-13567891907

Email: sales@semicorex.com